随着NVIDIA等公司在H200AIGPU中大规模采用该标准，美光科技已开始大规模生产其HBM3e内存。

美光的HBM3e解决方案承诺卓越的性能，迎合AI解决方案的增长并为NVIDIA的H200AI霸主提供动力

[新闻稿]：美光科技今天宣布其HBM3E(高带宽内存3E)解决方案已开始量产。美光的24GB8HHBM3E将成为NVIDIAH200TensorCoreGPU的一部分，该GPU将于2024年第二季度开始发货。

这一里程碑使美光处于行业前沿，以HBM3E行业领先的性能和能源效率为人工智能(AI)解决方案提供支持。随着人工智能需求持续激增，内存解决方案与不断增长的工作负载保持同步至关重要。

美光的HBM3E解决方案通过以下方式正面应对这一挑战：

卓越性能：美光HBM3E的引脚速度超过9.2Gb/s，可提供超过1.2TB/s的内存带宽，为AI加速器、超级计算机和数据提供闪电般的数据访问中心。

卓越的效率：HBM3E领先行业，与竞争产品相比，功耗降低约30%。为了支持不断增长的人工智能需求和使用，HBM3E以最低的功耗提供最大的吞吐量，以改善重要的数据中心运营支出指标。

无缝可扩展性：HBM3E目前拥有24GB容量，允许数据中心无缝扩展其人工智能应用程序。无论是训练大规模神经网络还是加速推理任务，美光的解决方案都提供了必要的内存带宽。

美光科技利用其1-beta技术、先进的硅通孔(TSV)以及其他可实现差异化封装解决方案的创新技术，开发了这一业界领先的HBM3E设计。美光是2.5D/3D堆叠内存和先进封装技术领域久经考验的领导者，很荣幸成为台积电3DFabric联盟的合作伙伴，并帮助塑造半导体和系统创新的未来。